檢索結果：共7筆資料 檢索策略： "趙崇禮".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="化學機械平坦化"
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在化學機械平坦化 (Chemical Mechanical Polishing/Planarization, CMP)的製程當中，鑽石修整製通常用來修整拋光墊表面形貌以及維持工作能力，以確保製程中的…
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本研究延續蔡明城開發之動態量測拋光墊性能指標系統，透過彩色共軛焦感測器架設於CMP機台上，利用拋光機盤面旋轉與搖臂搖擺達到拋光墊大面積掃描，利用自製軟體分析其表面訊號，計算拋光墊非均勻度(PU)、壽…
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半導體為世上重大發明且與現代生活密不可分，隨著世代的進化變遷，不斷的追求微細化及線路層層堆疊而對於晶片的考驗也越來越嚴苛，全域平坦化表面將成為相當重要得關鍵技術。化學機械拋光/平坦化(Chemica…
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本研究主要為結合超臨界微細發泡射出成形技術(Microcellular Injection Molding, MIM)與化學機械平坦化製程(Chemical Mechanical Planariza…
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在化學機械平坦化製程中，化學拋光液和晶圓移除的殘屑可能會積 聚在拋光墊表面，通過修整製程去除這些殘屑。故此拋光墊修整對於 CMP 性能至關重要且影響 IC 製造良率。本研究主要針對比較行星式修 整和…
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在化學機械平坦化製程中，化學拋光液與晶圓移除之殘碎會導致拋光墊表面產生鈍化的情況，因此透過拋光墊修整將拋光墊表面已鈍化表面移除，維持穩定的晶圓移除率。本研究將探討修整力量下的拋光墊修整移除率與表面形…
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化學機械平坦化/拋光（CMP）製程已被廣泛用於製造積體電路（IC)。為了使製造IC的成本降低，晶圓的尺寸越來越大，CMP製程就需要使用夠大的拋光墊。較大的拋光墊尺寸會導致在CMP製程中，拋光墊表面形…